Ki sa ou konnen sou gwo pouvwa, segondè efikasite 808 nm Semiconductor lazè?

Gwo pouvwa a808 nm semiconductor lazèak ponpe lazè solid eta li yo (Nd:YAG) gen kandida aplikasyon laj nan manifakti avanse, kosmetoloji medikal, aerospace, ekspozisyon lazè ak lòt jaden. Nan aplikasyon sa yo, yo souvan mande miniaturizasyon ak lejè semi-conducteurs semi-conducteurs, epi amelyore efikasite konvèsyon elektwo-optik lazè semi-conducteurs se fason teknik ki pi efikas pou diminye konsomasyon enèji, volim ak pwa tout sistèm lazè a. Segondè efikasite rechèch lazè semiconductor se kounye a yon direksyon rechèch cho nan kay ak aletranje. Nan 2016, Almay dènyèman te pwopoze pwogram Crolaser pou reyalize yon sèl-bar pik pouvwa ki pi gran pase 1.6kW ak efikasite konvèsyon elektwo-optik ki pi gran pase 80 pousan nan seri tanperati ki ba 200-220K. Nan 2015, Yamagata et al. rapòte yon nouvo 915 nm ADCH (asymmetric decoupled confinement heterostructure) estrikti ak optimize faktè limite optik. Nan 2014, Pietvzak et al. [6] rapòte yon etalaj lazè semiconductor 915 nm ak yon lajè teren 90 µm, 5 pwen lumineux, 55 W pouvwa pwodiksyon, ak yon efikasite maksimòm de 69 pousan.

Nan 2013, Crump et al. Analize yon seri de faktè ki mete restriksyon sou efikasite konvèsyon elektwo-optik lazè semi-conducteurs, ak pwopoze yon estrikti doub asimetri waveguide (EDAS), ki te verifye pa eksperyans. Nan 2012, Lauer et al rapòte ke maksimòm efikasite konvèsyon elektwo-optik nan yon tib sèl nan 976 nm nan tanperati chanm te 76 pousan. Nan 2010, Cao et al rapòte ke ba a nan 808 nm 50 W reyalize yon efikasite konvèsyon elektwo-optik nan 67 pousan pa optimize waveguide la ak estrikti CLADDING. Sepandan, tanperati tès la te osi ba ke 5 ◦ C, pandan ke efikasite nan diminye a 64 pousan nan yon tanperati chanm nan 25 ◦ C. Nan 2007 Hulsewede et al. rapòte ke 808 nm mikwo-chanèl refwadi etalaj semi-conducteurs lazè, 1.5 mm longè kavite, 20 pousan faktè ranpli, ak pouvwa pwodiksyon kontinyèl nan 90 W. Maksimòm efikasite konvèsyon elektwo-optik nan 25 ◦C 65 pousan. Nan menm ane a, Peters et al. rapòte ke pi wo efikasite konvèsyon elektwo-optik nan yon 100 W 976 nm mikwo-chanèl refwadi etalaj semi-conducteurs lazè nan tanperati chanm te 76 pousan, ki te efikasite ki pi wo rapòte nan tanperati chanm nan yon etalaj semi-conducteurs 976 nm. Crump et al. rapòte karakteristik pwodiksyon yon etalaj lazè semiconductor 810 nm nan diferan tanperati, efikasite konvèsyon elektwo-optik ki pi wo a 62 pousan nan 23 ◦C, ak aparèy la ka toujou travay nan 70 ◦C. An 1999, Wang et al. rapòte yon lazè semiconductor 808 nm sèl-tib grandi pa MBE, ki te reyalize yon pèt intracavity trè ba nan 0.75 cm -1 ak yon efikasite maksimòm de 65.5 pousan. Lachin te fè tou kèk pwogrè nan efikasite segondè nan 808 nm.

Paske materyèl semiconductor ki baze sou GAAS la gen yon sèten absòpsyon limyè nan longèdonn lasing 808 nm, efikasite konvèsyon elektwo-optik aparèy 808 nm se apeprè 5 pousan -10 pousan pi ba pase 976 nm, ak efikasite. nan etalaj lazè semi-conducteurs 808 nm se jeneralman 50 pousan -55 pousan, ak nivo ki pi bon nan laboratwa a se apeprè 65 pousan. Nan seleksyon an nan materyèl, materyèl aliminyòm ki gen (AlGaAs) gen gwo konduktiviti elektrik ak tèmik, fasil reyalize rezistans seri ba ak rezistans tèmik atravè gradyan an eleman ak kontwòl dopan, ak pwosesis kwasans epitaksi materyèl ki baze sou AlGaAs se matirite ak serye. , kidonk li se materyèl ki pi ideyal pou reyalize 808 nm segondè efikasite konvèsyon elektwo-optik. Dapre analiz de faktè ki mete restriksyon sou efikasite konvèsyon elektwo-optik yon lazè semi-conducteurs, papye sa a desine yon estrikti asimetri ond lajè, optimize estrikti a ak dopaj nan kouch P-tip waveguide ak CLADDING, epi reyalize pèt absòpsyon ki ba anpil nan kavite a. An menm tan an, konbine avèk defo ki ba ak teknoloji preparasyon aparèy ki ba-estrès, se pwodiksyon an wo-efikasite nan etalaj la lazè semi-conducteurs 808 nm reyalize.

Pèt absòpsyon optik P-tip waveguide ak CLADDING yo etidye lè w konpare estrikti waveguide simetrik ak asimetri lajè. Pèt total absòpsyon optik P-tip waveguide ak CLADDING se 1.77 cm-1, pami ki pèt waveguide P-tip se 0.56 cm-1 ak pèt CLADDING P-tip se {{1{{ 15}}}}.81 cm−1, sa ki reprezante 77 pousan pèt total la. Lè w optimize estrikti waveguide asimetri a lajè ak optimize epesè ak konpozisyon kouch ond P-tip, pèt absòpsyon optik estrikti waveguide asimetri a redwi a 0.63 cm-1 apre optimize, ak P-. pèt kouch waveguide se 0.15cm-1

Pèt CLADDING P-tip la se 0.05 cm−1, sa ki reprezante 32 pousan nan pèt total la. Yo itilize estrikti epitaxial optimize a pou reyalize gwo pouvwa ak efikasite segondè nan etalaj lazè semiconductor 808 nm. Nan tanperati chanm 25 ◦C, lè aktyèl la piki se 135 A, vòltaj k ap travay la se 1.76V, pouvwa optik pwodiksyon an pi gran pase 150 W, epi pa gen okenn fenomèn saturation tèmik lè aktyèl la piki se 100 A, elektwo ki pi wo a. -optik konvèsyon efikasite se 65.5 pousan, ki se pi gwo efikasite nan etalaj lazè semiconductor 808 nm rapòte nan Lachin.

Aplikasyon 808nm semiconductor laser

Lazè semiconductor a gen matirite pi bonè, ak pwogrè pi vit nan yon klas lazè, paske nan ranje longèdonn lajè li yo, pwodiksyon senp, pri ki ba, fasilite nan pwodiksyon an mas, ak ti gwosè, ki lejè, lavi ki long, nan sa a, yon varyete de rapid. devlopman, yon pakèt aplikasyon, H gen plis pase 300 kalite, jaden aplikasyon ki pi enpòtan nan lazè semi-conducteurs se Gb vil rezo. Ranje aplikasyon an nan lazè semi-conducteurs kouvri tout jaden an nan optoelectronics e li te vin teknoloji debaz la nan optoelectronics syans jodi a. Semiconductor lazè nan lazè ranje, rada lazè, kominikasyon lazè, zam analòg lazè, avètisman lazè, konsèy lazè ak swiv, ignisyon ak deksplozyon, kontwòl otomatik, enstriman deteksyon, ak sou sa.

Nouy yo te lajman itilize ak fòme yon gwo mache. Lazè semiconductor 808nm gen aplikasyon enpòtan nan pwosesis lazè nan pati mekanik presizyon epi tou li vin pi ideyal ak efikas ponpe sous limyè pou lazè solid-eta. Akòz efikasite segondè li yo, segondè fyab, ak avantaj miniaturization, lazè solid-eta yo te toujou ap mete ajou.

Nan endistri enprime ak domèn medikal, lazè semiconductor 808nm gen aplikasyon tou. Anplis de sa, lazè semiconductor 808nm yo te lajman itilize nan sistèm disk optik, tankou jwè CD, ak sistèm DVD ak segondè-dansite optik memwa vizib lazè emisyon sifas nan disk optik, enprimant, ak ekspozisyon gen aplikasyon trè enpòtan. Paske lazè semi-conducteur 808nm ka reyalize akor longèdonn pa chanje chan mayetik la oswa ajiste aktyèl la, epi yo ka jwenn pwodiksyon lazè a ak yon lajè liy trè etwat, lazè semi-conducteur a ka itilize pou rechèch espèk-wo rezolisyon. Lazè a branche se yon zouti enpòtan pou devlopman rapid nan espektroskopi lazè nan etid la pwofondè nan estrikti a nan matyè. Gwo pouvwa mitan-enfrawouj (3.51m) LD a gen yon pakèt aplikasyon nan kontremezi enfrawouj, ekleraj enfrawouj, liDAR, Windows atmosferik, kominikasyon espas lib, siveyans atmosferik, ak spèktroskopi chimik.

Enfòmasyon pou kontakte:

Si ou gen nenpòt lide, santi yo lib pou pale ak nou. Kèlkeswa kote kliyan nou yo ye ak ki kondisyon nou yo ye, nou pral swiv objektif nou yo bay kliyan nou yo bon jan kalite segondè, pri ki ba, ak pi bon sèvis la.